WH1001型硅低勢壘混頻二極管

2002年

應用技術

成果簡介

該器件采用了在重摻雜N+型硅上外延薄N層，再經過淀積Si02掩蔽、光刻、淀積勢壘金屬Ti等工藝，形成低勢壘肖特基結的方法。由于混頻電路結構簡單，容易調整，因此具有體積小，重量輕，頻帶寬的特點。該產品滿足合同指標要求，可替代進口產品，填補國內空白。其性能指標達到國內領先水平。調器件采用同軸陶瓷封裝形式，其主要性能指標為：正向電壓值≤280mV(1mA下)，在16GHz測試頻下，整機噪聲系數≤8dB，...

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WH1001型硅低勢壘混頻二極管

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