單晶材料摻FE半絕緣INP

2002年

應用技術

成果簡介

該項目基本解決了(100)InP單晶生長的工藝難關，提供直徑2英寸摻Fe(100)InP 單晶拋光片，滿足國內對摻Fe半絕緣InP單晶襯底的需求。該項目集中解決了以下關鍵技術：獨特的原位直接合成技術；改進的“封閉式”熱場抑制孿晶和降低位錯；利于晶錠加工和改善晶體性能的熱處理技術。應用情況及推廣前景：摻Fe半絕緣InP是重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料，其一系列的優越特性使之在民用、軍用光纖通信、...

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單晶材料摻FE半絕緣INP

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