單晶生長爐用超導磁場裝置

2001年

應用技術

成果簡介

在磁場中直拉單晶能抑制單晶熔液的對流，控制溫度的起伏，從而改進了單晶的均勻性，降低雜質水平，提高單晶的成品率。因此，發達國家已大量采用這一技術生產砷化鎵、磷化銦和大口徑的硅單晶。該裝置能提供各種口徑的均勻垂直場，水平場以及高梯度磁場；磁場強度可調節，帶國產二級致冷機或不裝致冷機的磁體低溫容器，能保證低揮發率液氮，長時間穩定的磁場。技術指標：磁體容器室溫孔徑0.3-1米；垂直水平、高梯度磁場強度20...

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單晶生長爐用超導磁場裝置

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