場致發(fā)光中分立中心與復合中心的合理利用

1999年

應(yīng)用技術(shù)

成果簡介

計算碰撞激發(fā)截面時估計進行了發(fā)光材料的導帶具體結(jié)構(gòu)，獲得截面的各向異性及隨電子能量的新穎變化。提出分層優(yōu)化方案經(jīng)實驗證明：電子的主要加速區(qū)是在SiO_2 層，離化倍增系數(shù)(M)增大而增大，Si的α大于單晶SiO_2約1000倍，大于ZnS單晶約3倍，發(fā)光綠紅比提高最大6倍。...

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場致發(fā)光中分立中心與復合中心的合理利用

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