摻雜金剛石薄膜壓力傳感器的研究

2004年

應用技術

成果簡介

CVD金剛石、SiC等寬能帶隙半導體是能在高溫下使用的新型半導體材料，且抗輻射能力強、耐腐蝕性能好，被譽為發展前景十分廣闊的第三代半導體材料。因此，金剛石薄膜可制成耐熱、耐沖擊、耐腐蝕、抗輻射、靈敏度高的壓力傳感器件。
首先，提出以1類應力誘導2類應力變化為主線分析硼摻雜金剛石壓阻效應，直接指導薄膜半導體器件的研制工藝。提出無籽晶、無偏壓、準單晶沉積法，探索在光滑的硅襯...

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