多波長可擦重寫光存儲材料AgTCNQ及其制備方法

2006年

應用技術

成熟應用階段

成果簡介

一種多波長可擦重寫光存儲材料AgTCNQ及其制備方法，該材料為銀－四氰基對本醌二甲烷酯類衍生物，其分子式為Ag[TCNQ(CH_2CH_2COOR)_2]。該銀－四氰基對本醌二甲烷酯類衍生物合成采用可溶性四氰基對本醌二甲烷酯類衍生物作電子受體，合成溶解性良好、適于采用旋涂法成膜的銀－四氰基對本醌二甲烷酯類衍生物的電子轉移復合物。本發明能夠用簡單高效的方法合成銀－四氰基對本醌二甲烷酯類衍生物...

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多波長可擦重寫光存儲材料AgTCNQ及其制備方法

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