基于近場激發和增強的新型納米薄膜結構研究

2006年

應用技術

成熟應用階段

成果簡介

本項目提出并發展了基于Bi、AgInSbTe、Ti等的新型超分辨掩膜結構，靜態激光記錄點最小可縮小到不通過掩膜時的20%，刻蝕線寬可以縮小到不通過掩膜時的60%以下。與傳統掩膜相比，具有光斑壓縮效率高、刻蝕功率低、熱損傷小等優點。將新型掩膜結構應用于只讀式超分辨光盤，可獲得最高達43dB的動態讀出信噪比，接近實用化水平。與傳統的超分辨近場結構光盤相比，具有盤片結構簡單、厚度容差大、工藝簡單...

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基于近場激發和增強的新型納米薄膜結構研究

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