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單電子二極管存儲器

2006年

應用技術

成果簡介

本實用新型結構中的納米量子點等間隔地放置在電極和電極之間，組成兩個對稱的串聯(lián)隧道結。它通過脈沖電壓Vp，使得n個電子隧道進入納米量子點存儲起來，實現(xiàn)電學“寫”，同時利用電流檢測納米量子點上所存儲電子的多少，實現(xiàn)電學“讀”。本實用新型結構簡單，可采用金屬材料制作，從而突破了對半導體工藝的依賴，以其為基本單元可制作超高密度、超快速度、超低功耗的大規(guī)模存儲器陣列。適用于集成電路芯片、計算機CPU...

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單電子二極管存儲器

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