2006年 應(yīng)用技術(shù)
本發(fā)明屬于測(cè)高分子膜厚度的前處理方法。X射線衍射測(cè)量有機(jī)膜和高分子膜厚度時(shí)，樣品必須是晶體；x射線光電子能譜測(cè)量膜的厚度時(shí)，受到樣品和儀器條件的限制；掃描電鏡測(cè)量膜的厚度時(shí)，受到樣品制備的限制；橢偏儀測(cè)量膜厚度時(shí)，受到標(biāo)準(zhǔn)模型選擇的制約。本發(fā)明將旋涂在硅片上的待測(cè)樣品膜用銅薄膜遮擋住一部分，以雙面膠帶將銅薄和樣品膜粘合，然后將露出部分用氬離子進(jìn)行剝離，氬離子槍的束能3～10千伏，聚焦電壓3...
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