1998年 應(yīng)用技術(shù)
深愛(ài)公司在國(guó)內(nèi)首次采用4英寸硅片，三重?cái)U(kuò)散高壓平面工藝生產(chǎn)雙極功率管，其關(guān)鍵技術(shù)為提高和穩(wěn)定擊穿電壓的SIPOS多層鈍化，該技術(shù)成果在國(guó)內(nèi)處于領(lǐng)先地位。可推廣至其他半導(dǎo)體器件，對(duì)推動(dòng)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展具有重要意義。...
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