抗輻照CMOS／SOS集成電路用2″SOS外延片研制

1997年

應用技術

成果簡介

該成果采用自制的藍寶石單晶襯底，研制出抗輻照CMOS/SOS集成電路用2″SOS處延片。其性能參數為：襯底(1102)及硅膜<100>晶向偏離均小于0.3°；硅膜厚度0.4～0.8μm可控，均勻性≤±8%；雜質濃度≤10^14/cm^3；電阻率≥10^4 Ωcm；經總劑量1×10^6 rad、束流密度105rad/s的r射線輻照性能基本不變。解決了國內抗輻照集成電路、敏感元件及特種元件制作...

相關成果

1. 轉SOS1-SOS2-SOS3基因國槐中間試驗
2. 轉SOS1-SOS2-SOS3基因苜蓿的中間試驗
3. 轉SOS1-SOS2-SOS3基因黃金槐中間試驗
4. 轉SOS2-SOS3基因國槐中間試驗
5. 轉SOS2-SOS3基因苜蓿的中間試驗
6. 轉SOS1-SOS2-SOS3基因四倍體刺槐中間試驗
7. 轉SOS2-SOS3基因黃金槐中間試驗
8. 轉SOS2-SOS3基因四倍體刺槐中間試驗
9. CMOS硅外延片質量改進及與器件關系
10. 轉SOS1基因國槐中間試驗
12. 轉SOS1基因黃金槐中間試驗
13. 2-3微米集成電路用Φ125MM硅單晶(片)研制開發
14. 亞微米、深亞微米CMOS電路用薄層外延硅材料
15. 顯示屏用GaN基外延片的研制與產業化
16. 轉SOS1基因四倍體刺槐中間試驗
17. SIT、SITH、BSIT用高阻厚層外延片
18. SOS突變和突變抑制劑及其作用機制的研究
19. SOS/UMU遺傳毒性原位監測技術建立與應用研究
20. 硅反外延片

精品福利一区二区三区免费视-精品福利一区二区三区免费视频-精品福利一区二区在线观看-精品高潮呻吟99AV无码-精品高潮呻吟AV久久无码-精品高精欧美囯产日韩一区

抗輻照CMOS／SOS集成電路用2″SOS外延片研制

標簽云

猜您想要的成果

相關專家

相關機構


	選擇導出文檔的格式關閉 PDF PDF RTF(word文檔) TXT(純文本)


	提示信息關閉發送短信成功


	提示信息關閉發送短信失敗


	提示信息關閉發送郵件失敗


	提示信息關閉郵件發送成功