Ⅱ－Ⅵ族化合物原子層外延生長及短周期超晶格量子阱

1995年

應用技術

成果簡介

該成果提出并實現利用原子層外延法生長Ⅱ－Ⅵ族化合物超短周期超晶格為勢阱材料的量子阱，避免發生形變馳豫位錯。CdTe/ZnTe與CdSe/ZnSe二個體系的短周期超晶格多量子阱的螢光激子峰半峰寬優于同等組份合金量子阱材料。該研究在勢壘等電子摻雜，在室溫下自由激子半峰寬為33meⅤ。由于新的量子阱結構出現許多新物理現象，如界面局域模，多聲子散射，超薄層的限制光學聲子學等。該成果在國際上受到好評...

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Ⅱ－Ⅵ族化合物原子層外延生長及短周期超晶格量子阱

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