一種橫向高壓器件及其制造方法

2016年

應用技術

成熟應用階段

成果簡介

　　本發明涉及半導體功率器件技術領域，涉及一種橫向高壓器件及其制造方法。本發明的一種橫向高壓器件，其元胞結構包括第一導電類型半導體襯底、設置在第一導電類型半導體襯底上端面的第二導電類型半導體漂移區和分別設置在第二導電類型半導體漂移區上端面兩端的源區和漏區，其特征在于，所述第二導電類型半導體漂移區由自下而上依次層疊設置的多個第二導電類型半導體子漂移區構成，每個第二導電類型半導體子漂移區中均設置有2個...

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