一種槽型積累層MOSFET器件

2016年

應用技術

成熟應用階段

成果簡介

　　一種槽型積累層MOSFET器件，屬于功率半導體器件技術領域。本發(fā)明在縱向MOSFET器件的源漏之間的漂移區(qū)中引入介質槽，槽內(nèi)填充介電常數(shù)較小的介質材料；介質槽被第二導電類型重摻雜柵端歐姆接觸區(qū)、第二導電類型高阻區(qū)、第一導電類型高阻區(qū)、第一導電類型重摻雜場截止區(qū)和第二導電類型漏端接觸區(qū)構成的輔助電荷積累層所包圍，輔助電荷積累層又被介質隔離層所包圍。本發(fā)明通過引入輔助電荷積累層，器件正向導通時在漂...

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一種槽型積累層MOSFET器件

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