一種改善表面鈍化的平面型銦鎵砷光敏芯片及制備方法

2016年

應用技術

成熟應用階段

成果簡介

　　一種改善表面鈍化的平面型銦鎵砷光敏芯片及制備方法，平面型銦鎵砷光敏芯片的結構為：在半絕緣InP襯底上，依次生長N型InP層，銦鎵砷本征吸收層，N型InP帽層，氮化硅（SiNx）鈍化層，P電極及加厚電極（8）。制備工藝在原有工藝基礎之上改進得到，包括擴散掩膜的去除、硫化和感應耦合等離子體化學氣相淀積（ICPCVD）技術生長氮化硅鈍化膜。本發明的優點在于：芯片的鈍化層結構比較均勻；有效減少器件的表...

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一種改善表面鈍化的平面型銦鎵砷光敏芯片及制備方法

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