一種制備單晶硅納米結構的方法

2015年

應用技術

中期階段

成果簡介

目前通過自上而下制作單晶硅納米結構的方法（top-down），即通過定位去除材料上不需要的部分，留下符合設計的納米結構，包括電子束直寫、深紫外光刻，納米壓印等納米刻蝕技術。其工藝原理較為簡單，但制備工藝昂貴費時，不甚適用于一般的納米研究工作。近年來，利用（100）SOI 硅片表層硅的各向異性腐蝕形成的單晶硅傾斜表面的氧化，形成尺度小、準直性好的掩模，或用傾斜刻蝕槽形結構內金屬薄膜形成納...

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