2017年 應(yīng)用技術(shù)
成熟應(yīng)用階段 一種氧化鋅納米線陣列的制備方法，屬于材料技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明首先采用薄膜沉積工藝在襯底表面沉積一層表面晶粒半徑可控的金屬薄膜；然后將金屬薄膜采用面向下的方式浮于由等摩爾量的硝酸鋅溶和六次甲基四胺配制的生長(zhǎng)溶液表面，在60～90℃的溫度條件下靜置生長(zhǎng)氧化鋅納米線陣列。通過(guò)控制金屬薄膜表面晶粒的大小，可方便地獲得不同生長(zhǎng)密度的氧化鋅納米線陣列。與常規(guī)水熱法利用生長(zhǎng)溶液濃度控制氧化鋅納米線陣列生長(zhǎng)密度的...
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