低溫下砷化鎵圖像傳感器圓片級芯片尺寸封裝工藝

2015年

應(yīng)用技術(shù)

初期階段

成果簡介

本發(fā)明涉及一種低溫條件下砷化鎵圖像傳感器圓片級芯片尺寸封裝工藝，其特征在于
①首先進(jìn)行載片與圖像傳感器器件晶圓之間的鍵合，以保護(hù)芯片晶圓有源面并為器件晶圓減薄提供支撐；
②然后通過研磨方法使器件晶圓減薄至一定厚度；
③再通過砷化鎵濕法腐蝕方法形成器件晶圓背面到焊盤的通路；
④旋涂光敏有機(jī)樹脂，填充步驟③形成的通...

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低溫下砷化鎵圖像傳感器圓片級芯片尺寸封裝工藝

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