一種垂直圍柵MOSFET器件及其制造方法

2014年

應用技術

初期階段

成果簡介

本發明涉及微電子器件制造領域，公開了一種垂直圍柵MOSFET器件及其制造方法。該垂直圍柵MOSFET器件，包括：半導體襯底，垂直設置在半導體襯底上的圓柱形的溝道區，溝道區的圓柱形外設置有截面為槽形的環狀的介質層，所述槽形開口向上，所述介質層的槽內設置有環狀的柵導電層，所述介質層的槽外設置有環狀的漏導電層，所述介質層的槽外底部與所述半導體襯底接觸，所述溝道區上設置有源導電層，其圓柱形上部摻n...

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