非晶碳薄膜中可逆巨電致電阻效應的研究

2014年

基礎理論

成果簡介

在新一代存儲器中，與鐵電存儲器、磁存儲器等相比，基于可逆巨電致電阻（CER）效應的電阻型隨機存儲器（RRAM）在性能和成本方面表現出巨大優勢，在未來有望取代現有存儲器。目前，RRAM的研究工作大都集中在氧化物材料體系，和氧化物相比，非晶碳（a-C）薄膜組分簡單、易于可控制備，因此是RRAM理想的候選介質材料。通過本項目研究，發現了五種存儲性能優良的碳基RRAM材料，研究了相應存儲器件性能，...

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非晶碳薄膜中可逆巨電致電阻效應的研究

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