2013年 應(yīng)用技術(shù)
初期階段 本發(fā)明是關(guān)于一種新型納米復(fù)合相變薄膜及其制備方法。納米復(fù)合相變薄膜特征在于相變材料與Ta2O5在納米尺度的均勻復(fù)合。Ta2O5的存在一方面抑制了相變材料晶粒的長(zhǎng)大，提升了材料的電阻率和晶化溫度，增加了材料的熱穩(wěn)定性；另一方面由于晶界密度的增加，材料的熱導(dǎo)率減小，器件的RESET電壓降低，同時(shí)Ta2O5的引入提升了材料的介電常數(shù)，有利于器件閾值電壓的減小。這種新型納米復(fù)合相變薄膜應(yīng)用到存儲(chǔ)器...
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