2012年 應(yīng)用技術(shù)
成熟應(yīng)用階段 該項(xiàng)目采用亞平面（淺槽）終端、芯片短路點(diǎn)優(yōu)點(diǎn)設(shè)計(jì)、終端GLASS和SIPOS復(fù)合鈍化等新技術(shù)，優(yōu)化了芯片電參數(shù)，提高了芯片熱疲勞次數(shù)。產(chǎn)品性能達(dá)到國(guó)際同類(lèi)產(chǎn)品先進(jìn)水平。采用亞平面（淺深度）耗盡層腐蝕法技術(shù)，將PN結(jié)耗盡層減薄，降低其表面電場(chǎng)，通過(guò)精確控制腐蝕深度，達(dá)到理想的擊穿電壓。同時(shí)，具有電中性的多晶硅鈍化膜可以消除因表面感應(yīng)引起的電荷積累，無(wú)歐姆電流通過(guò)，不改變結(jié)構(gòu)的空間電荷，不存在...
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