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ZnO肖特基二極管

2004年

應用技術

成果簡介

ZnO肖特基二極管是在襯底的正面自下而上依次沉積第一金屬電極層、ZnO晶體膜外延層和第二金屬電極層而構成。該ZnO肖特基二極管，由于歐姆接觸與肖特基接觸的電極直接在ZnO外延層的兩側，可避免因襯底造成的串聯電阻過大而導致器件的理想因子偏高，有利于提高截止頻率。由于采用ZnO薄膜，因此該二極管原料豐富，價格低廉，且適合高溫、高頻丁作，抗輻射能力強。此外，由于有多種襯底適合ZnO薄膜的沉積，使得器件結...

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ZnO肖特基二極管

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