2004年 應(yīng)用技術(shù)
成熟應(yīng)用階段 （1）制備出了高質(zhì)量3－4英寸的硫系化合物Ge_2Sb_2Te_5薄膜、納米SOI等納米半導(dǎo)體薄膜材料，并對其性能進(jìn)行了初步研究，取得了一些很好的階段性成果；
（2）制備出了滿足生物傳感器應(yīng)用要求的ZnO壓電薄膜，同時(shí)對其納米線和納米帶的制備和性能進(jìn)行了系統(tǒng)研究，取得了具有國際水準(zhǔn)的創(chuàng)新性成果； （3）建成了半導(dǎo)體薄膜材料結(jié)構(gòu)和電學(xué)性能測試系統(tǒng)－納米... 
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