2005年 應用技術
本發明涉及微電子技術領域，特別是一種采用基于硅襯底突點制作及釋放犧牲層的方法。其工藝步驟如下：
1、在<100>硅基片上淀積SiNX薄膜； 2、光刻，刻蝕SiNX薄膜，形成腐蝕窗口，去膠； 3、腐蝕硅襯底，形成硅突點； 4、表面淀積SiO_2薄膜犧牲層； 5、光刻，打底膠，表面淀積鉻薄膜，剝... 
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