雙異質結構氮化鎵基高電子遷移率晶體管結構及制作方法

2004年

應用技術

成果簡介

一種雙異質結構氮化鎵基高電子遷移率晶體管結構，其特征在于，包括：一襯底，該襯底為藍寶石襯底或碳化硅襯底或硅襯底；一高阻氮化鎵緩沖層，該高阻氮化鎵緩沖層制作在襯底上；一薄層非故意摻雜鋁鎵氮插入層，該非故意摻雜鋁鎵氮插入層制作在高阻氮化鎵緩沖層上；一高遷移率氮化鎵溝道層，該高遷移率氮化鎵溝道層制作在非故意摻雜鋁鎵氮插入層上；一薄層氮化鋁插入層，該氮化鋁插入層制作在高遷移率氮化鎵溝道層上；一n型...

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