電子回旋共振等離子體化學氣相淀積氮化硅薄膜的方法

2007年

應用技術

成果簡介

　　本發明公開了一種用于集成電路鈍化層的氮化硅薄膜的低溫制造方法，該氮化硅薄膜生長在位于淀積室中的襯底上。其過程包括：將襯底清洗后放在工藝室中；對工藝室抽真空并設定工藝條件；將硅源氣體與氮化源氣體先混合后通入工藝室，利用電子回旋共振效應吸收的微波源能量對混合后的硅源氣體和氮化源氣體進行電離分解，并將電離分解后所產生的活性帶電粒子通過永磁磁場的作用輸運到襯底表面，在襯底上淀積氮化硅薄膜，該工藝條件是...

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