Φ6″硅外延材料

2003年

應用技術

成果簡介

該項目對150mm(6英寸)硅外延材料埋層外延圖形畸變和漂移的控制技術、變流變溫生產技術、背封技術、消除自摻雜技術、負壓生長技術、分布外延生長技術、低溫生長技術、襯底預處理技術等8項技術進行了集成創新；用氣相化學沉積方法，在150mm(6英寸)硅的拋光單晶片上生長一層或多層匹配晶格、參數各異的硅單晶膜，厚度1～150μm，電阻率為0.003-500Ω.cm；參照美國ASMT標準SEMI標準(200...

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