氮化鎵薄膜制備技術

2003年

應用技術

成果簡介

該氮化鎵薄膜制備技術以高純鎵和氮氣作源物質，采用雙流供氣方式，向沉積區輸送經過離化的具有化學活性的反應氣體，在較低溫度(500～600℃)下，通過載能鎵離化團簇束和N^+離子束直接在襯底進行化學反應生成氮化鎵晶體薄膜。該成果還提出用ZnO作緩沖層實現在Si襯底上生長氮化鎵晶體膜，進一步降低了氮化鎵薄膜的生產成本。...

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氮化鎵薄膜制備技術

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