新型功率MOS器件

2003年

應用技術

成果簡介

簡要內容：該成果做出了四種管子：①絕緣柵雙極晶體管(IGBT)并已設計定型，其技術指標：10-20A/1000-1250V，Toff＜0.18μs；②橫向絕緣晶體管(LDGBT)技術指標為：Toff=120-160ns，耐壓250-350V，電流1-2A；③矩形MOS晶體管(RMOS)技術指標：耐壓220V，電流25A，比導通電阻0.042Ω·cm^2；④橫向雙擴散MOS晶體管(LDMOS)，其技...

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