中－高居里溫度PMeMNT壓電單晶的生長

2005年

應用技術

初期階段

成果簡介

本項目在熱力學分析和實驗相圖測試的基礎上，開展了中高居里溫度PIN-PT，PYN-PT及PMeN-PMN-PT三元壓電單晶的生長與性能研究。采用Solution Bridgman 晶體生長技術，獲得了具有高居里溫度的PIN-PT和PYN-PT單晶，其中，PIN-PT晶體的組分靠近該體系的準同型相界MPB，結構為三方相，該晶體的壓電系數d33達到2000pC/N，居里溫度Tc達到269℃，三...

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