光陰極組制備技術-真空靜電封接

1998年

應用技術

成果簡介

該成果是復合型透射式負電子親和勢光陰極的前程工藝中一項重要工藝。它采用SEM、SIMS等表面分析儀器對封接界面進行了形成和成分分析，首次提出了封接界面處存在一個電子反射屏，對其硅內部光電子運動有反射作用，從機理上提出了新的見解。其真空靜電封接技術，平板電容器模型，電子反射屏等屬國際首創。封接質量達國內先進水平。它可降低微光管的成本，簡化制備工藝，減少設備投資，不影響零件表面的光學質量，消除或減弱...

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光陰極組制備技術-真空靜電封接

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