砷化鎵中雜質缺陷的紅外研究

2001年

應用技術

成果簡介

江德生研究員領導的中國科學院半導體研究所紅外研究課題組對半砷化鎵進行了低溫高分辨紅外光譜測量，研究了與硅、碳、硼等雜質及反位缺陷有磁的紅外吸收，燕采用了擾動技術(變溫、附加樂照等)，獲得了對缺陷物理性質及其鑒定有重要意義的結果。特別是在國際上首先發早化鎵中與氧填隙和砷空位絡合物(O_i-V_(As))有關的局域模振動紅外吸收，證明振動是Ga-O-Ga鍵引起的，不同的荷電狀態具有不同的振動頻率。同時...

相關成果

1. 發光材料GaP中雜質缺陷光電性質研究
2. 砷化鎵材料缺陷圖譜
3. 大直徑硅中COPs和紅外散射缺陷的研究
4. 大直徑半絕緣砷化鎵單晶中缺陷熱穩定性的研究
5. 鈮酸鋰晶體的缺陷結構和雜質效應
6. 大直徑直拉硅片雜質缺陷的控制與利用
7. 大直徑直拉硅單晶中微缺陷及其與氧碳雜質相互作用的研究
8. 液封直拉GaAs單晶拉直中雜質和缺陷的控制
9. 金屬鏑中雜質鎢控制的研究
10. 降低EP-SPM成品中雜質含量的提取工藝研究
12. 鎢制品中雜質的ICP-MS的測定
13. 中子輻照硅中的缺陷及其與氫、氧雜質的相互作用
14. 小粒油籽中無機雜質快速測定方法的研究
15. 磷石膏中雜質影響機理及其資源化研究
16. 仲鎢酸銨中雜質元素的ICP－AES分析
17. 碳化硅中雜質元素的ICP－AES分析
18. 新型中紅外玻璃
19. 鎢產品中雜質元素的光譜分析方法研究
20. 銀中雜質光譜分析標準物質

精品福利一区二区三区免费视-精品福利一区二区三区免费视频-精品福利一区二区在线观看-精品高潮呻吟99AV无码-精品高潮呻吟AV久久无码-精品高精欧美囯产日韩一区

砷化鎵中雜質缺陷的紅外研究

標簽云

猜您想要的成果

相關專家

相關機構


	選擇導出文檔的格式關閉 PDF PDF RTF(word文檔) TXT(純文本)


	提示信息關閉發送短信成功


	提示信息關閉發送短信失敗


	提示信息關閉發送郵件失敗


	提示信息關閉郵件發送成功