氮化鎵基發(fā)光二極管外延片和器件的研制及產(chǎn)業(yè)化

2006年

應(yīng)用技術(shù)

成熟應(yīng)用階段

成果簡(jiǎn)介

1、GaN基藍(lán)、綠光LED外延片生長(zhǎng)及器件制備的基礎(chǔ)關(guān)鍵技術(shù)，包括：緩沖層生長(zhǎng)；GaN、AlGaNP-type的實(shí)現(xiàn)；高質(zhì)量InGaN及多量子阱（MQW）生長(zhǎng)；GaN刻蝕；器件減薄工藝；器件切割工藝；器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與工藝研究；器件壽命研究。
2、GaN基藍(lán)、綠光LED外延片生長(zhǎng)及器件制備的批生產(chǎn)技術(shù)，包括：外延片均勻性研究；run to run重復(fù)性研究；芯片減薄工藝量產(chǎn)...

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氮化鎵基發(fā)光二極管外延片和器件的研制及產(chǎn)業(yè)化

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